機械振興賞　受賞者 業績概要詳細

　半導体製造工程で、シリコンウェーハ上に絶縁膜（SiN，SiO₂）、電極膜等（Poly Si）を形成するための熱処理成膜装置の課題である長サイクルタイム、低稼働率を革新的技術を搭載することにより解決し、短サイクルタイム、高稼働率を実現した。
　本開発の主な特長は、以下の２点でサイクルタイムの短縮に大きく貢献した。
（1）加熱、冷却、減圧、昇圧の高速化：従来、150 nm のシリコン窒化膜の形成で４時間程度かかったが、熱容量の小さい高速加熱ヒータと高速減圧・昇圧の可能なバルブやノズルを開発して、１時間程度での成膜を可能にした。
（2）反応管洗浄の高速化：反応管内面に成膜された膜を除去する際、従来は、人手により反応管を分解しほぼ１日かかってウェット洗浄を行う必要があったが、フッ素系ガスで反応管内を洗浄する分解不要のドライクリーニングする新技術を開発して、約４時間と大幅な短縮に成功した。