機械振興賞　受賞者 業績概要詳細

　本業績は、半導体デバイス製造において、露光・現像されたレジストパターンに応じて半導体材料を浸刻するドライエッチング技術の超高精度化と量産性向上に関するものであり、300mm径の大口径ウエハ全面に対して均一に、高い垂直加工性（形状制御性）と高いエッチング選択性を実現した。その結果、次々世代の半導体デバイスに対応するゲート長37nmのゲートエッチング及び孔径90nm、深さ2μmの深孔絶縁膜エッチングを世界に先駆けて量産レベルで実証した。本技術は形状精度の高さから、現在、130nmデバイスのゲート加工プロセス、ゲートマスク用絶縁膜加工プロセス、メタル加工プロセス及びダマシンプロセスの量産に適用され、さらに次世代の100nmデバイスの開発にも貢献するものである。